Molekylstråleepitaxi, eller MBE, är en ny teknik för att odla högkvalitativa tunna kristallfilmer på kristallsubstrat. I ultrahöga vakuumförhållanden genereras ånga genom att en värmeugn utrustas med alla nödvändiga komponenter. Genom hål som bildas efter att ha kollimerat strålen, injiceras atom- eller molekylstrålen direkt till lämplig temperatur på enkristallsubstratet. Samtidigt kontrolleras molekylstrålens skanning till substratet, vilket kan få molekylerna eller atomerna i kristallinriktningslagren att bilda en tunn film på substratet.

För normal drift av MBE-utrustning krävs att flytande kväve med hög renhet, lågt tryck och ultrarent kontinuerligt och stabilt transporteras till utrustningens kylkammare. Generellt sett har en tank som tillhandahåller flytande kväve ett utgångstryck mellan 0,3 MPa och 0,8 MPa. Flytande kväve vid -196 ℃ förångas lätt till kväve under rörledningstransport. När det flytande kvävet med ett gas-vätskeförhållande på cirka 1:700 har förgasats i rörledningen kommer det att uppta en stor mängd utrymme i flödet av flytande kväve och minska det normala flödet i slutet av rörledningen för flytande kväve. Dessutom är det sannolikt att det finns skräp i lagringstanken för flytande kväve som inte har rengjorts. I rörledningen för flytande kväve kommer förekomsten av våt luft också att leda till generering av isslagg. Om dessa föroreningar släpps ut i utrustningen kommer det att orsaka oförutsägbara skador på utrustningen.

Därför transporteras det flytande kvävet i utomhuslagringstanken till MBE-utrustningen i den dammfria verkstaden med hög effektivitet, stabilitet och renhet, och det låga trycket, inget kväve, inga föroreningar, 24 timmar om dygnet utan avbrott, vilket gör ett sådant transportkontrollsystem till en kvalificerad produkt.