Molecular beam epitaxy, eller MBE, är en ny teknik för att odla högkvalitativa tunna filmer av kristaller på kristallsubstrat. Under ultrahöga vakuumförhållanden, vid uppvärmning kaminen är utrustad med alla typer av nödvändiga komponenter och genererar ånga, genom hål som bildas efter kollimerande stråle atomär eller molekylär stråle, direkt injicering till lämplig temperatur för enkristallsubstratet, styrande molekylstråle till substratet skannar samtidigt, kan det få molekylerna eller atomerna i kristallinriktningsskikt att bilda en tunn film på ett substrat "tillväxt".

För normal drift av MBE-utrustning krävs hög renhet, lågt tryck och ultrarent flytande kväve för att kontinuerligt och stabilt transporteras till utrustningens kylkammare. I allmänhet har en tank som tillhandahåller flytande kväve ett utgående tryck mellan 0,3 MPa och 0,8 MPa. Flytande kväve vid -196 ℃ förångas lätt till kväve under rörledningstransport. När väl det flytande kvävet med ett gas-vätskeförhållande på cirka 1:700 förgasas i rörledningen kommer det att uppta en stor mängd flytande kväveflödesutrymme och minska det normala flödet vid slutet av rörledningen för flytande kväve. Dessutom, i lagringstanken för flytande kväve, finns det sannolikt skräp som inte har rengjorts. I rörledningen för flytande kväve kommer förekomsten av våt luft också att leda till bildandet av isslagg. Om dessa föroreningar släpps ut i utrustningen kommer det att orsaka oförutsägbar skada på utrustningen.

Därför transporteras det flytande kvävet i utomhuslagringstanken till MBE-utrustningen i den dammfria verkstaden med hög effektivitet, stabilitet och ren, och det låga trycket, inget kväve, inga föroreningar, 24 timmar oavbrutet, ett sådant transportkontrollsystem är en kvalificerad produkt.